南京華瑞微集成電路有限公司（以下簡稱華瑞微）成立于2018年5月，公司地址位于南京市浦口高新區(qū)科創(chuàng)廣場，是一家集功率器件產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。華瑞微已經(jīng)研發(fā)成功且量產(chǎn)的產(chǎn)品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結(jié)MOS和SGT MOS，同時(shí)正在開展第三代半導(dǎo)體（SiC、GaN）功率器件的研發(fā)工作。
TRENCH MOS
溝槽式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（ Trench MOSFET ）與傳統(tǒng)VDMOS相比，具有更低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵漏電荷密度，從而可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗及更快的開關(guān)速度。HRmicro的Trench MOSFET通過采用最先進(jìn)的溝槽技術(shù)和芯片布局，可應(yīng)用于工作頻率小于100kHz的各種應(yīng)用領(lǐng)域，很好的補(bǔ)充HRmicro的SGT系列產(chǎn)品，具有抗沖擊能力強(qiáng)，輸出效率高，成本低等特點(diǎn)；HRmicro結(jié)合最先進(jìn)的封裝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率和可靠性，同時(shí)擁有各種小封裝產(chǎn)品可進(jìn)一步提高電路集成度。
SGT MOS
采用電荷平衡原理，使得N型漂移區(qū)即使在較高摻雜濃度的情況下也能實(shí)現(xiàn)較高的擊穿電壓，從而獲得較低的導(dǎo)通電阻，打破傳統(tǒng)功率MOSFET的硅極限。 HRmicro SGT產(chǎn)品具有柵漏電容(Cgd)小，開關(guān)損耗低 ,優(yōu)值（FOM）低，抗大電流沖擊能力（EAS）強(qiáng)等特點(diǎn)，結(jié)合先進(jìn)的封裝技術(shù)增加了源極金屬的接觸面積，減少封裝寄生電阻，增強(qiáng)了器件高溫工作狀態(tài)下的散熱性能。
SUPER JUNCTION
HRmicro推出的第二代、第三代超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品，打破了傳統(tǒng)平面VDMOS的硅極限，使得導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的關(guān)系得到了極大的改進(jìn)，由傳統(tǒng)的2.5次方變?yōu)榫€性關(guān)系，極大的優(yōu)化了器件的品質(zhì)因數(shù)FOM（Rdson*Qg），比傳統(tǒng)VDMOS具有更快的開關(guān)速度，更低的開關(guān)損耗，更優(yōu)的轉(zhuǎn)換效率；第二代及第三代超結(jié)MOSFET分別針對性的優(yōu)化了EMI特性、產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻特性，同時(shí)，也帶來了DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式，全面適用于照明應(yīng)用、各類電源、適配器、手機(jī)、電腦等多種應(yīng)用場景； 第二代及第三代超結(jié)同時(shí)推出了快恢復(fù)系列產(chǎn)品，極大的縮短了超結(jié)MOSFET的反向恢復(fù)時(shí)間，提高了反向恢復(fù)能力，降低了反向恢復(fù)損耗，適用于半橋、全橋等拓?fù)潆娐分?，可?yīng)用于各種大功率電源、充電樁等產(chǎn)品中。
